在2019年之前，中国在NAND闪存市场上的份额为0，没产能也没什么技术，长江存储在去年9月份攻克了64层3D闪存，不过那时候比三星、东芝等公司还要落后两代水平。
今天早上，长江存储宣布了一个重磅消息——128层QLC 3D NAND 闪存(型号：X2-6070)研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
长江存储之前就表态跳过96层堆栈，64层之后直接进入128层堆栈，现在不仅实现了之前的目标，同时128层的QLC闪存X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量三个第一。
与之前的32层32Gb、64层256Gb的闪存相比，长江存储的X2-6070闪存提升很大，但与国际水平相比如何呢?
根据Techinsihts的3D闪存路线图及厂商的资料，三星的110+层(有128、136不同水平的)3D闪存核心容量可以做到QLC 1Tb，美光的128层、SK海力士的128层、Intel的144层QLC闪存也是1Tb核心容量，东芝/西数的112层BiCS 5技术的闪存堆栈可以做到QLC 1.33Tb容量，是此前已知最高的。
从容量上来说，长江存储的X2-6070 QLC闪存与东芝/西数同级，比其他家的要高出33%。
除了容量之外，还要看性能，IO速度上X2-6070是1600Mbps，这是他们的Xtacking架构的优势，速度堪比DDR内存，而三星的128层闪存速度是1200Mbps，西数、东芝的也是1200Mbps，其他家的IO速度没有确切数据，估计也在1200Mbps左右。
所以在IO性能上，长江存储的X2-6070闪存也是第一，这点比其他厂商是要领先的。
还有就单位面积存储密度，只不过其他厂商目前还没公布具体的核心面积数据，长江存储也一样，没有公开资料对比，但从单颗容量来看长江存储还是有底气的。
总之，从技术指标上来说，长江存储的X2-6070闪存是国产闪存首次进入第一梯队，而且同时在容量、密度及性能上领先，意义重大。
不过话说回来，长江存储的X2-6070闪存目前没有量产，只是完成了技术研发，而三星、东芝、美光等公司今年会量产128层级别的3D闪存，在生产进度及产能上依然是领先的，这才是最关键的。
对长江存储来说，目前的头等大事依然是产能建设，今年初长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示他们研发的64层闪存已经在去年量产，将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片并按期建成30万片/月产能。
长江存储今年底的产能将达到6万片晶圆/月，相比去年有8-10倍的增加，但与全球闪存芯片每月产能约为130万片晶圆相比，今年内国产闪存的产能占比不过3%而已，改变不了大局。
据业界分析师的表态，长江存储真正能够参与全球闪存市场竞争，并且对市场生产一定影响要到2021年，也就是至少一年半之后，国产闪存才有跟三星东芝等6大闪存原厂较劲的资格。
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